công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
1N5712 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Kwang Myoung I.S. CO.,LTD |
|
1N5712 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Kwang Myoung I.S. CO.,LTD |
1 / 3 page FEATURES Metal-to-silicon junction MECHANICAL DATA Case:JEDEC DO--35,glass case Weight: Approx. 0.13 gram Min. UNITS 20.0 V nA V V pF K/W Maximumlead temperature for soldering during 10S at 4mmfromcase TL Reverse breakdow n voltage @ I R=10 A Symbols VR ELECTRICAL CHARACTERISTICS IR Thermal resistance CJ 1.0 RθJA IN5712 SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES VOLTAGE RANGE: 20 V Ptot: 430 mW DO - 35(GLASS) SEMICONDUCTOR mW mA Value Peak reverse voltage Symbols 20.0 430.0 Polarity: Color band denotes cathode end Junction and storage temperature range Pow er dissipation (Infinite Heat Sink) ABSOLUTE RATINGS(LIMITING VALUES) VRRM Ptot IFSM UNITS V and pulse applications with broad dynamic range High breakdown voltage Low turn-on voltage Ultrafast switching speed Prmarly intended for high level UHF/VHF detection Leakage current @ VR=16V Junction capacitance @ VR=0V,f=1MHz 400 Forw ard continuous current 150 2 35.0 Test pulse: tp 300 s <2% IF=35mA VF Max. Typ. TJ/TSTG 230 c-55 ---+ 150 Forw ard voltage drop @ IF=1mA VF 0.41 KI Document Number 0265006 1. |
Số phần tương tự - 1N5712 |
|
Mô tả tương tự - 1N5712 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |