công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB120N4F6 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STB120N4F6 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 18 page STB120N4F6, STD120N4F6 Electrical characteristics Doc ID 17042 Rev 5 5/18 Table 7. Switching on/off (inductive load) Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr Turn-on delay time Rise time VDD = 20 V, ID = 40 A, RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V (see Figure 15) - 20 70 - ns ns td(off) tf Turn-off delay time Fall time - 40 20 - ns ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) - 80 320 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 40 A, VGS = 0 -1.1 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 80 A, di/dt = 100 A/µs, VDD = 30 V (see Figure 17) - 40 56 2.8 ns nC A |
Số phần tương tự - STB120N4F6 |
|
Mô tả tương tự - STB120N4F6 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |