công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK7Y38-100E bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK7Y38-100E bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 13 page NXP Semiconductors BUK7Y38-100E N-channel 100 V, 38 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56 BUK7Y38-100E All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2013. All rights reserved Product data sheet 20 February 2013 3 / 13 Symbol Parameter Conditions Min Max Unit Tj junction temperature -55 175 °C Source-drain diode IS source current Tmb = 25 °C - 30 A ISM peak source current pulsed; tp ≤ 10 µs; Tmb = 25 °C - 120 A Avalanche ruggedness EDS(AL)S non-repetitive drain-source avalanche energy ID = 30 A; Vsup ≤ 100 V; RGS = 50 Ω; VGS = 10 V; Tj(init) = 25 °C; unclamped; Fig. 3 [1][2] - 45.2 mJ [1] Single-pulse avalanche rating limited by maximum junction temperature of 175 °C. [2] Refer to application note AN10273 for further information. 003aai565 0 30 60 90 120 150 180 0 10 20 30 40 Tj (°C) ID ID (A) (A) Fig. 1. Continuous drain current as a function of mounting base temperature Tmb (°C) 0 200 150 50 100 03aa16 40 80 120 Pder (%) 0 Fig. 2. Normalized total power dissipation as a function of mounting base temperature |
Số phần tương tự - BUK7Y38-100E |
|
Mô tả tương tự - BUK7Y38-100E |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |