công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SIZ702DT bảng dữ liệu(PDF) 9 Page - Vishay Siliconix |
|
SIZ702DT bảng dữ liệu(HTML) 9 Page - Vishay Siliconix |
9 / 14 page Document Number: 65525 S11-2379-Rev. B, 28-Nov-11 www.vishay.com 9 Vishay Siliconix SiZ702DT New Product This document is subject to change without notice. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000 CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted) Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.1 1 10 100 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 TJ = 25 °C TJ = 150 °C VSD -Source-to-Drain Voltage (V) 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power 0.000 0.005 0.010 0.015 0.020 0.025 0.030 0 246 8 10 ID =13.8 A TJ = 25 °C TJ = 125 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0 10 20 30 40 50 Time (s) 10 1000 0.1 0.01 0.001 100 1 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 100 1 0.1 1 10 100 0.01 10 0.1 TA = 25 °C Single Pulse 100 ms Limited byRDS(on)* BVDSS Limited 1ms 100 µs 10 ms DC VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified 1s,10s |
Số phần tương tự - SIZ702DT |
|
Mô tả tương tự - SIZ702DT |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |