 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FGB20N60SFD bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Fairchild Semiconductor |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
FGB20N60SFD bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Fairchild Semiconductor |
|
|
3 / 9 page  Qg Total Gate Charge VCE = 400V, IC = 20A, VGE = 15V - 65 - nC Qge Gate to Emitter Charge - 7 - nC Qgc Gate to Collector Charge - 33 - nC 3 www.fairchildsemi.com FGB20N60SFD Rev. A Electrical Characteristics of the IGBT T C = 25°C unless otherwise noted Electrical Characteristics of the Diode T C = 25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max Units VFM Diode Forward Voltage IF = 10A TC = 25oC - 1.9 2.5 V TC = 125oC - 1.7 - trr Diode Reverse Recovery Time IF =10A, dIF/dt = 200A/μs TC = 25oC - 34 - ns TC = 125oC - 57 - Qrr Diode Reverse Recovery Charge TC = 25oC - 41 - nC TC = 125oC - 96 - |
Số phần tương tự - FGB20N60SFD |
|
Mô tả tương tự - FGB20N60SFD |
|
|
|
Link URL |
| Chính sách bảo mật |
| ALLDATASHEET.VN |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
