FDT86102LZ datasheet(4/6 Pages) FAIRCHILD

tên linh kiện	FDT86102LZ

Giải thích chi tiết về linh kiện	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 6.6 A, 28 m廓

Download	6 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]

Trang chủ	http://www.fairchildsemi.com

Logo

4 / 6 page

4

www.fairchildsemi.com

FDT86102LZ Rev. C

Figure 7.

0

3

6

9

12

15

18

0

2

4

6

8

10

ID = 6.6 A

VDD = 50 V

VDD = 25 V

Qg, GATE CHARGE (nC)

VDD = 75 V

Gate Charge Characteristics

Figure 8.

0.1

1

10

100

1

10

100

1000

2000

f = 1 MHz

VGS = 0 V

VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Crss

Coss

Ciss

Capacitance vs Drain

to Source Voltage

Figure9.

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1

10

20

TJ = 100 oC

TJ = 25 oC

TJ = 125 oC

t

AV, TIME IN AVALANCHE (ms)

UnclampedInductive

Switching Capability

Figure 10.

25

50

75

100

125

150

0

3

6

9

12

15

Package Limited

VGS = 4.5 V

RθJC = 12

oC/W

VGS = 10 V

T

C

, CASE TEMPERATURE (

o

C

)

Maximum Continuous Drain

Current vs Case Temperature

Figure 11. Gate Leakage Current vs

Gate to Source Voltage

0

5

10

15

20

25

30

35

10

-9

10

-8

10

-7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

VGS = 0 V

TJ = 25 oC

TJ = 125 oC

VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 12.

0.01

0.1

1

10

100

500

0.005

0.01

0.1

1

10

50

10 s

100 μs

10 ms

DC

1 s

100 ms

1 ms

VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)

THIS AREA IS

LIMITED BY r

DS(on)

SINGLE PULSE

TJ = MAX RATED

RθJA = 118

oC/W

TA = 25

oC

Forward Bias Safe

Operating Area

Typical Characteristics T

J = 25 °C unless otherwise noted

Số phần tương tự - FDT86102LZ

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Guangdong Kexin Industr...	FDT86102LZ	233Kb / 5P	N-Channel MOSFET

More results

Mô tả tương tự - FDT86102LZ

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Fairchild Semiconductor	FDT1600N10ALZ	291Kb / 9P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 5.6 A, 160 m廓
	FDD86102LZ	372Kb / 6P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓
	FDD86110	257Kb / 6P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 50 A, 10.2 m廓
ON Semiconductor	FDP085N10A	3Mb / 10P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 96 A, 8.5 m廓 November-2017, Rev. 3
Fairchild Semiconductor	FDS86140	255Kb / 6P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 11.2 A, 9.8 m廓
Diodes Incorporated	FDD86102LZ	372Kb / 6P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓
Fairchild Semiconductor	FDMS86150	324Kb / 7P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 60 A, 4.85 m廓
	FDMS7650	248Kb / 7P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 100 A, 0.99 m廓
	FDPF3860TYDTU	589Kb / 8P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 20 A, 38.2 m廓
	FDMS86103L	279Kb / 7P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 49 A, 8 m廓

More results

FDT86102LZ bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Fairchild Semiconductor

FDT86102LZ bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Fairchild Semiconductor

Số phần tương tự - FDT86102LZ

Mô tả tương tự - FDT86102LZ

Html Pages

1 2 3 4 5 6

bảng dữ liệu tải về

Link URL