công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ACE2304B bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
ACE2304B bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
1 / 5 page ACE2304B N-Channel Enhancement Mode MOSFET VER 1.2 1 Description The ACE2304BBM+ uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features 30V/5A R DS(ON) =26 mΩ (typ.) @ V GS=10V R DS(ON) =37 mΩ (typ.) @ V GS=4.5V Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Max Unit Drain-Source Voltage VDSS 30 V Gate-Source Voltage VGSS ±20 V Drain Current (Continuous) TA=25℃ ID 5 A TA=70℃ 4.1 Drain Current (Pulsed) IDM 20 A Power Dissipation TA=25℃ PD 1.4 W TA=70℃ 1 Operating temperature / storage temperature TJ/TSTG -55~150 ℃ Packaging Type SOT-23-3L 3 1 2 SOT-23-3L Description Function 1 G Gate 2 S Source 3 D Drain |
Số phần tương tự - ACE2304B |
|
Mô tả tương tự - ACE2304B |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |