công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STRH100N10 bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - STMicroelectronics |
|
STRH100N10 bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - STMicroelectronics |
6 / 17 page Electrical characteristics STRH100N10 6/17 Doc ID 17486 Rev 6 Table 7. Switching times (pre-irradiation) Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off-delay time Fall time VDD = 50 V, ID = 24 A, RG = 4.7 Ω, VGS = 12 V 23 29 79 33 29.5 40 99 64 36 52 119 95 ns ns ns ns Table 8. Source drain diode (pre-irradiation) (1) 1. Refer to the Figure 16. Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max Unit ISD ISDM (2) 2. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current Source-drain current (pulsed) 48 192 A A VSD (3) 3. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%. Forward on voltage ISD = 48 A, VGS = 0 1.5 V trr (4) Qrr (4) IRRM (4) 4. Not tested in production, guaranteed by process. Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 48 A, di/dt = 100 A/µs VDD= 50 V, TJ = 25 °C 328 413 5 24 498 ns µC A trr (4) Qrr (4) IRRM (4) Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 48 A, di/dt = 100 A/µs VDD= 50 V, TJ = 150 °C 400 500 7 28 600 ns µC A |
Số phần tương tự - STRH100N10 |
|
Mô tả tương tự - STRH100N10 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |