công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STN1810 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Stanson Technology |
|
STN1810 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Stanson Technology |
3 / 7 page STN1810 N Channel Enhancement Mode MOSFET 8.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2007, Stanson Corp. STN1810 2009. V1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=250uA 100 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA 1.0 3.0 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±20V ±100 nA VDS=80V,VGS=0V 250 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=80V,VGS=0V TJ=5℃ 5 uA On-State Drain Current ID(on) VDS≧5V,VGS=10V 8 A Drain-source On- Resistance RDS(on) VGS=10V,ID=10A VGS=7.0V,ID=6.5A 140 150 155 170 m Forward Transconductance gfs VDS=5V,ID=6.2AV 5.6 S Diode Forward Voltage VSD IS=1A,VGS=0V 1.3 V Dynamic Total Gate Charge Qg 10 16 Gate-Source Charge Qgs 2.5 Gate-Drain Charge Qgd VDS=80V,VGS=5V ID≡5A 4.2 nC Input Capacitance Ciss 430 Output Capacitance Coss 58 Reverse TransferCapacitance Crss VDS =25V,VGS=0V F=1MHz 33 pF 6.5 Turn-On Time td(on) tr 10 13 Turn-Off Time td(off) tf VDD=50V,RD=10 VDS=30V,RG=3.3 ID≡5A 3.4 nS |
Số phần tương tự - STN1810 |
|
Mô tả tương tự - STN1810 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |