công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ST2315SRG bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Stanson Technology |
|
ST2315SRG bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Stanson Technology |
3 / 6 page ST2315SRG P Channel Enhancement Mode MOSFET -4.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com ST2315SRG 2010. V1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=-250uA -20 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=-250uA -0.4 -1.0 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±12V ±100 nA Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-20V,VGS=0V -1 uA VDS=-20V,VGS=0V TJ=55℃ -10 Drain-source On-Resistance RDS(on) VGS=-4.5V,ID=-4.0A VGS=-2.5V,ID=-3.0A VGS=-1.8V,ID=-2.0A 0.040 0.060 0.090 Ω Forward Transconductance gfs VDS=-5V,ID=-3.5V 8.5 S Diode Forward Voltage VSD IS=-1.6A,VGS=0V -0.8 -1.2 V Dynamic Total Gate Charge Qg VDS=-10V VGS=-4.5V ID≡-3.5A 10 12 nC Gate-Source Charge Qgs 2 Gate-Drain Charge Qgd 2 Input Capacitance Ciss VDS=-10V VGS=0V F=1MHz 485 pF Output Capacitance Coss 90 Reverse Transfer Capacitance Crss 40 Turn-On Time td(on) tr VDD=-10V RL=6Ω ID=-1.0A VGEN=-4.5V RG=6Ω 10 18 nS 13 22 Turn-Off Time td(off) tf 18 24 15 20 |
Số phần tương tự - ST2315SRG |
|
Mô tả tương tự - ST2315SRG |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |