công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK7E1R9-40E bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK7E1R9-40E bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors |
4 / 12 page NXP Semiconductors BUK7E1R9-40E N-channel TrenchMOS standard level FET BUK7E1R9-40E All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved Product data sheet 5 September 2012 4 / 12 003aah077 10-1 1 10 102 103 104 10-1 1 10 102 VDS(V) ID (A) Limit RDSon= VDS / ID DC 100 µs 10 ms tp=10 µs 100 ms 1 ms Fig. 4. Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage 5. Thermal characteristics Table 5. Thermal characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Rth(j-mb) thermal resistance from junction to mounting base Fig. 5 - - 0.46 K/W Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient vertical in still air - 65 - K/W 003aah078 single shot 0.2 0.1 0.05 10-3 10-2 10-1 1 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 1 tp(s) Zth(j-mb) (K/W) δ = 0.5 0.02 tp T P t tp T δ = Fig. 5. Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration |
Số phần tương tự - BUK7E1R9-40E |
|
Mô tả tương tự - BUK7E1R9-40E |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |