công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDD4685 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Fairchild Semiconductor |
|
FDD4685 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Fairchild Semiconductor |
3 / 7 page FDD4685_F085 Rev. C www.fairchildsemi.com 3 Electrical Characteristics T J = 25 oC unless otherwise noted Switching Characteristics Drain-Source Diode Characteristics Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Units td(on) Turn-On Delay Time VDD = -20V, ID = -8.4A VGS = -10V, RGEN = 6Ω - 8 16 ns tr Rise Time - 15 27 ns td(off) Turn-Off Delay Time - 34 55 ns tf Fall Time - 14 26 ns VSD Source to Drain Diode Voltage ISD = -8.4A, VGS=0V - -0.85 -1.2 V trr Reverse Recovery Time ISD = -8.4A, dISD/dt = 100A/μs -30 45 ns Qrr Reverse Recovery Charge - 31 47 nC This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/ All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification. Notes: 1: Starting TJ= 25°C, L = 3mH, IAS= 9A, VGS= 10V, VDD= 40V during the inductor charging time and 0V during the time in avalanche. |
Số phần tương tự - FDD4685_08 |
|
Mô tả tương tự - FDD4685_08 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |