công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUZ356 bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
BUZ356 bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - Siemens Semiconductor Group |
7 / 9 page 7 07/96 Semiconductor Group BUZ 356 Gate threshold voltage VGS (th) = ƒ(Tj) parameter: V GS = VDS, ID = 1 mA 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 V 4.6 V GS(th) -60 -20 20 60 100 °C 160 T j 2% typ 98% Drain-source on-resistance RDS (on) = ƒ(Tj) parameter: ID = 3.9 A, VGS = 10 V -60 -20 20 60 100 °C 160 T j 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 Ω 8.0 R DS (on) typ 98% Typ. capacitances C = f (VDS) parameter: VGS = 0V, f = 1MHz 0 5 10 15 20 25 30 V 40 V DS 1 10 2 10 3 10 4 10 pF C C iss C oss C rss Forward characteristics of reverse diode IF = ƒ(VSD) parameter: Tj, tp = 80 µs -1 10 0 10 1 10 2 10 A I F 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0 V SD T j = 25 °C typ T j = 25 °C (98%) T j = 150 °C typ T j = 150 °C (98%) |
Số phần tương tự - BUZ356 |
|
Mô tả tương tự - BUZ356 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |