công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUZ346S2 bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
BUZ346S2 bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - Siemens Semiconductor Group |
6 / 9 page Semiconductor Group 6 07/96 BUZ 346 S2 Not for new design Typ. output characteristics ID = ƒ(VDS) parameter: t p = 80 µs 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 V 5.0 V DS 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 A 130 I D V GS [V] a a 4.0 b b 4.5 c c 5.0 d d 5.5 e e 6.0 f f 6.5 g g 7.0 h h 7.5 i i 8.0 j j 9.0 k k 10.0 l Ptot = 170W l 20.0 Typ. drain-source on-resistance RDS (on) = ƒ(ID) parameter: V GS 0 20 40 60 80 100 A 130 I D 0.000 0.005 0.010 0.015 0.020 0.025 0.030 0.035 0.040 0.045 Ω 0.055 R DS (on) VGS [V] = a a 4.0 b b 4.5 c c 5.0 d d 5.5 e e 6.0 f f 6.5 g g 7.0 h h 7.5 i i 8.0 j j 9.0 k k 10.0 l l 20.0 Typ. transfer characteristics ID = f (VGS) parameter: tp = 80 µs VDS≥2 x ID x RDS(on)max 0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10 V GS 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 A 70 I D Typ. forward transconductance gfs = f (ID) parameter: tp = 80 µs, VDS≥2 x ID x RDS(on)max 0 10 20 30 40 50 A 65 I D 0 5 10 15 20 25 30 35 40 S 50 g fs |
Số phần tương tự - BUZ346S2 |
|
Mô tả tương tự - BUZ346S2 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |