công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUZ346 bảng dữ liệu(PDF) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
BUZ346 bảng dữ liệu(HTML) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
8 / 9 page Semiconductor Group 8 07/96 BUZ 346 Not for new design Avalanche energy E AS = ƒ(Tj) parameter: ID = 58 A, VDD = 25 V R GS = 25 Ω, L = 21.4 µH 20 40 60 80 100 120 °C 160 T j 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 mJ 75 E AS Typ. gate charge VGS = ƒ(QGate) parameter: I D puls = 87 A 0 20 40 60 80 100 120 nC 160 Q Gate 0 2 4 6 8 10 12 V 16 V GS DS max V 0,8 DS max V 0,2 Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS = ƒ(Tj) -60 -20 20 60 100 °C 160 T j 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 V 60 V (BR)DSS |
Số phần tương tự - BUZ346 |
|
Mô tả tương tự - BUZ346 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |