công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUZ110S bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
BUZ110S bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Siemens Semiconductor Group |
3 / 8 page Semiconductor Group 3 28/Jan/1998 BUZ 110 S SPP80N05 Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Dynamic Characteristics Transconductance VDS≥ 2 * ID * RDS(on)max, ID = 66 A gfs 30 - - S Input capacitance VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz Ciss - 2420 3025 pF Output capacitance VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz Coss - 745 930 Reverse transfer capacitance VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz Crss - 380 475 Turn-on delay time VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 80 A RG = 3.9 Ω td(on) - 20 30 ns Rise time VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 80 A RG = 3.9 Ω tr - 35 55 Turn-off delay time VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 80 A RG = 3.9 Ω td(off) - 45 70 Fall time VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 80 A RG = 3.9 Ω tf - 30 45 Gate charge at threshold VDD = 40 V, ID ≥ 0.1 A, VGS =0 to 1 V Qg(th) - 3 4.5 nC Gate charge at 7.0 V VDD = 40 V, ID = 80 A, VGS =0 to 7 V Qg(7) - 65 100 Gate charge total VDD = 40 V, ID = 80 A, VGS =0 to 10 V Qg(total) - 85 130 Gate plateau voltage VDD = 40 V, ID = 80 A V(plateau) - 5.8 - V |
Số phần tương tự - BUZ110S |
|
Mô tả tương tự - BUZ110S |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |