công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUZ104L bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
BUZ104L bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Siemens Semiconductor Group |
2 / 9 page Semiconductor Group 2 07/96 BUZ 104L Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Operating temperature Tj -55 ... + 175 °C Storage temperature Tstg -55 ... + 175 Thermal resistance, chip case RthJC ≤ 2.5 K/W Thermal resistance, chip to ambient RthJA ≤ 75 DIN humidity category, DIN 40 040 E IEC climatic category, DIN IEC 68-1 55 / 175 / 56 Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Static Characteristics Drain- source breakdown voltage VGS = 0 V, ID = 0.25 mA, Tj = -40 °C V(BR)DSS 50 - - V Gate threshold voltage VGS=VDS, ID = 1 mA VGS(th) 1.2 1.6 2 Zero gate voltage drain current VDS = 50 V, VGS = 0 V, Tj = 25 °C VDS = 50 V, VGS = 0 V, Tj = -40 °C VDS = 50 V, VGS = 0 V, Tj = 150 °C IDSS - - - 10 1 0.1 100 100 1 µA nA µA Gate-source leakage current VGS = 20 V, VDS = 0 V IGSS - 10 100 nA Drain-Source on-resistance VGS = 5 V, ID = 8.5 A RDS(on) - 0.085 0.1 Ω |
Số phần tương tự - BUZ104L |
|
Mô tả tương tự - BUZ104L |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |