SIZ704DT datasheet(2/12 Pages) VISHAY

tên linh kiện	SIZ704DT

Giải thích chi tiết về linh kiện	N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs

Download	12 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	VISHAY [Vishay Siliconix]

Trang chủ	http://www.vishay.com

Logo

2 / 12 page

www.vishay.com

2

Document Number: 65367

S09-1921-Rev. A, 28-Sep-09

Vishay Siliconix

SiZ704DT

New Product

Notes:

a. Guaranteed by design, not subject to production testing.

b. Pulse test; pulse width

≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2 %.

SPECIFICATIONS TJ = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Static

Drain-Source Breakdown Voltage

VDS

VGS = 0 V, ID = 250 µA

Ch-1

30

V

VGS = 0 V, ID = 250 µA

Ch-2

30

VDS Temperature Coefficient

ΔV

DS/TJ

ID = 250 µA

Ch-1

35

mV/°C

ID = 250 µA

Ch-2

33

VGS(th) Temperature Coefficient

ΔV

GS(th)/TJ

ID = 250 µA

Ch-1

- 4.5

ID = 250 µA

Ch-2

- 5

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS = VGS, ID = 250 µA

Ch-1

1

2.5

V

VDS = VGS, ID = 250 µA

Ch-2

1.2

2.5

Gate-Body Leakage

IGSS

VDS = 0 V, VGS = ± 20 V

Ch-1

± 100

nA

Ch-2

± 100

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS = 30 V, VGS = 0 V

Ch-1

1

µA

VDS = 30 V, VGS = 0 V

Ch-2

1

VDS = 30 V, VGS = 0 V, TJ = 55 °C

Ch-1

5

VDS = 30 V, VGS = 0 V, TJ = 55 °C

Ch-2

5

On-State Drain Currentb

ID(on)

VDS ≥ 5 V, VGS = 10 V

Ch-1

20

A

VDS ≥ 5 V, VGS = 10 V

Ch-2

20

Drain-Source On-State Resistanceb

RDS(on)

VGS = 10 V, ID = 7.8 A

Ch-1

0.020

0.024

Ω

VGS = 10 V, ID = 10 A

Ch-2

0.0105 0.0135

VGS = 4.5 V, ID = 7 A

Ch-1

0.024

0.030

VGS = 4.5 V, ID = 7 A

Ch-2

0.0135

0.017

Forward Transconductanceb

gfs

VDS = 10 V, ID = 7.8 A

Ch-1

17

S

VDS = 10 V, ID = 10 A

Ch-2

24

Dynamica

Input Capacitance

Ciss

Channel-1

VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz

Channel-2

VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz

Ch-1

435

pF

Ch-2

846

Output Capacitance

Coss

Ch-1

95

Ch-2

187

Reverse Transfer Capacitance

Crss

Ch-1

42

Ch-2

72

Total Gate Charge

Qg

VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 7.8 A

Ch-1

8

12

nC

VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 10 A

Ch-2

15.4

23

Channel-1

VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 7.8 A

Channel-2

VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 10 A

Ch-1

3.8

6

Ch-2

7.3

11

Gate-Source Charge

Qgs

Ch-1

1.4

Ch-2

2.3

Gate-Drain Charge

Qgd

Ch-1

1.1

Ch-2

2.2

Gate Resistance

Rg

f = 1 MHz

Ch-1

0.6

3.2

6.4

Ω

Ch-2

0.2

0.8

1.6

Số phần tương tự - SIZ704DT

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Vishay Siliconix	SIZ704DT	201Kb / 14P	N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs 01-Jan-2022
Vishay Siliconix	SIZ704DT	201Kb / 14P	N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs 01-Jan-2022

More results

Mô tả tương tự - SIZ704DT

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Vishay Siliconix	SIZ730DT	211Kb / 14P	N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs Rev. B, 28-Nov-11
	SIZ704DT	201Kb / 14P	N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs 01-Jan-2022
	SIZ730DT	209Kb / 14P	N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs Rev. A, 04-Apr-11
	SIS476DN	569Kb / 12P	N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs 01-Jan-2022
	SIZ730DT	216Kb / 14P	N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs 08-Feb-17
	SIZ702DT	159Kb / 12P	N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs Rev. A, 02-Nov-09
	SIZ702DT	195Kb / 14P	N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs 01-Jan-2022
Vishay Telefunken	SIZ730DT	211Kb / 14P	N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs
Vishay Siliconix	SIZ702DT	203Kb / 14P	N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs Rev. B, 28-Nov-11
Vishay Siliconix	SIZ300DT	330Kb / 14P	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs Rev. D, 11-Jun-12

More results

SIZ704DT bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix

SIZ704DT bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix

Số phần tương tự - SIZ704DT

Mô tả tương tự - SIZ704DT

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

bảng dữ liệu tải về

Link URL