 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MJE702T bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
MJE702T bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 2 page  INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor MJE702T DESCRIPTION isc Website：www.iscsemi.cn ·Collector–Emitter Breakdown Voltage— : V(BR)CEO =-80 V ·DC Current Gain— : hFE = 750(Min) @ IC=-2A ·Complement to Type MJE802T APPLICATIONS ·Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage -80 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current-Continuous -4 A IB B Base Current -0.1 A PC Collector Power Dissipation TC=25℃ 50 W Ti Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 2.5 ℃/W |
Số phần tương tự - MJE702T |
|
Mô tả tương tự - MJE702T |
|
|
|
Link URL |
| Chính sách bảo mật |
| ALLDATASHEET.VN |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
