công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD1210 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2SD1210 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
1 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1210 DESCRIPTION ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min.)@ IC= 10A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 100V(Min) APPLICATIONS ·Designed for audio frequency power amplifier and low speed high current switching industrial use. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VEBO Emitter-Base Voltage 8 V IC Collector Current-Continuous 10 A ICM Collector Current-Peak 20 A IB B Base Current- Continuous 1 A Collector Power Dissipation @Ta=25℃ 3 PC Collector Power Dissipation @TC=25℃ 80 W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website:www.iscsemi.cn |
Số phần tương tự - 2SD1210 |
|
Mô tả tương tự - 2SD1210 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |