công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD1191 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2SD1191 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1191 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 50mA; RBE= ∞ 60 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 5mA; IE= 0 70 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3.5A; IB= 7mA 1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 3.5A; IB= 7mA 2.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 40V; IE= 0 100 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 3.0 mA hFE DC Current Gain IC= 3.5A; VCE= 2V 2000 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 3.5A; VCE= 5V 20 MHz Switching times ton Turn-on Time 0.6 μs tstg Storage Time 3.0 μs tf Fall Time IC= 3A, IB1= -IB2= 6mA RL= 6.7Ω; VCC= 20V; PW= 50μs; Duty Cycle≤1% 1.7 μs isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
Số phần tương tự - 2SD1191 |
|
Mô tả tương tự - 2SD1191 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |