công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BY251GP bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
|
BY251GP bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 4 page Document Number: 88541 For technical questions within your region, please contact one of the following: www.vishay.com Revision: 15-Mar-11 DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com 3 This datasheet is subject to change without notice. THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000 BY251GP thru BY255GP Vishay General Semiconductor Fig. 3 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current Fig. 4 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Fig. 5 - Typical Junction Capacitance PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters) 0 20406080 100 10 1 0.1 0.01 Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%) T J = 125 °C T J = 25 °C T J = 75 °C Instantaneous Forward Voltage (V) 100 10 1 0.1 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 T J = 25 °C Pulse Width = 300 μs 1 % Duty Cycle Reverse Voltage (V) 100 10 1 10 100 T J = 25 °C f = 1.0 MHz V sig = 50 mVp-p DO-201AD 0.210 (5.3) 0.190 (4.8) DIA. 0.052 (1.32) 0.048 (1.22) DIA. 1.0 (25.4) MIN. 1.0 (25.4) MIN. 0.375 (9.5) 0.285 (7.2) |
Số phần tương tự - BY251GP |
|
Mô tả tương tự - BY251GP |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |