công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BU1008 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
|
BU1008 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 6 page New Product BU1006 thru BU1010 Vishay General Semiconductor Document Number: 89295 Revision: 15-Mar-11 For technical questions within your region, please contact one of the following: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com www.vishay.com 3 This datasheet is subject to change without notice. THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000 Figure 3. Forward Power Dissipation Figure 4. Typical Forward Characteristics Per Diode 01234567 8 910 11 0 8 12 16 20 24 Average Forward Current (A) 4 0.3 1.1 1.2 1.3 0.01 10 0.1 1 100 0.5 0.7 0.9 Instantaneous Forward Voltage (V) T J = 150 °C T J = 125 °C T J = 25 °C 0.4 0.6 0.8 1.0 Figure 5. Typical Reverse Characteristics Per Diode Figure 6. Typical Junction Capacitance Per Diode 1000 20 10 60 40 30 50 70 90 100 80 0.01 0.1 1 10 100 Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%) T J = 150 °C T J = 125 °C T J = 25 °C 0.1 1 10 100 10 100 Reverse Voltage (V) |
Số phần tương tự - BU1008 |
|
Mô tả tương tự - BU1008 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |