công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB16N65M5 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STB16N65M5 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 19 page STB16N65M5, STD16N65M5 Electrical ratings Doc ID 18146 Rev 2 3/19 1 Electrical ratings Table 2. Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VDS Drain-source voltage 650 V VGS Gate-source voltage ± 25 V ID Drain current (continuous) at TC = 25 °C 12 A ID Drain current (continuous) at TC = 100 °C 7.3 A IDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Drain current (pulsed) 48 A PTOT Total dissipation at TC = 25 °C 90 W IAR Avalanche current, repetitive or not- repetitive (pulse width limited by Tj max) 4A EAS Single pulse avalanche energy (starting Tj = 25 °C, ID = IAR, VDD = 50 V) 200 mJ dv/dt (2) 2. ISD ≤ 12 A, di/dt ≤ 400 A/µs, VDD = 400 V, VPeak < V(BR)DSS Peak diode recovery voltage slope 15 V/ns Tstg Storage temperature - 55 to 150 °C Tj Max. operating junction temperature 150 °C Table 3. Thermal data Symbol Parameter Value Unit DPAK D²PAK Rthj-case Thermal resistance junction-case max 1.38 °C/W Rthj-pcb (1) 1. When mounted on 1inch² FR-4 board, 2 oz Cu Thermal resistance junction-pcb max 50 30 °C/W |
Số phần tương tự - STB16N65M5 |
|
Mô tả tương tự - STB16N65M5 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |