công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STT3981 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH |
|
STT3981 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH |
4 / 5 page Elektronische Bauelemente STT3981 -1.6 A, -20 V, RDS(ON) 180 m Ω P-Channel Enhancement Mode Mos.FET 1 0-Feb-2010 Rev. C Page 4 of 5 - - 1.2 1.5 0.1 1 10 0.00 0.3 0.6 0.9 TJ = 25 C TJ = 150 C Source-Drain Diode Forward Voltage VSD Source-to-Drain Voltage (V) 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0123456 VGS Gate-to-Source Voltage (V) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage ID = 1.9 A 0.2 0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 50 25 0 25 50 75 100 125 150 Threshold Voltage T- - - -- J Temperature ( C) ID = 250 A 0.001 0 1 20 25 5 15 10 0.01 Single Pulse Power, Junction-to-Ambient Time (sec) 0.1 10 - Safe Operating Area, Junction-to-Case VDS Drain-to-Source Voltage (V) 100 1 0.1 1 10 100 0.01 10 1 ms 0.1 TC = 25 C Single Pulse 10 ms 100 ms dc IDM Limited ID(on) Limited rDS(on) Limited BVDSS Limited 10 s, 1 s |
Số phần tương tự - STT3981 |
|
Mô tả tương tự - STT3981 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |