công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BF1102 bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
|
BF1102 bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - NXP Semiconductors |
6 / 16 page 2000 Apr 11 6 Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel dual gate MOS-FETs BF1102; BF1102R handbook, halfpage 020 60 25 0 5 20 15 10 MGS364 40 ID (mA) IG1 (µA) Fig.7 Drain current as a function of gate 1 current; typical values. VDS = 5 V; VG2-S = 4 V; Tj =25 °C. handbook, halfpage 0 15 10 5 0 1 MGS365 23 5 4 ID (mA) VGG (V) Fig.8 Drain current as a function of gate 1 supply voltage (= VGG); typical values. VDS = 5 V; VG2-S = 4 V; Tj =25 °C. RG1 = 120 kΩ (connected to VGG); see Fig.20. handbook, halfpage 010 30 0 10 20 MGS366 2468 ID (mA) VGG = VDS (V) RG1 = 47 kΩ 68 k Ω 82 k Ω 100 k Ω 120 k Ω 150 k Ω 180 k Ω 220 k Ω Fig.9 Drain current as a function of gate 1 (= VGG) and drain supply voltage; typical values. VG2-S = 4 V; Tj =25 °C. RG1 connected to VGG; see Fig.20. handbook, halfpage 02 6 20 0 16 MGS367 4 12 8 4 VG2-S (V) ID (mA) 4.5 V 4 V 3.5 V 3 V VG1-S = 5 V VDS = 5 V; Tj =25 °C. RG1 = 120 kΩ (connected to VGG); see Fig.20. Fig.10 Drain current as a function of gate 2 voltage; typical values. |
Số phần tương tự - BF1102_00 |
|
Mô tả tương tự - BF1102_00 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |