công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STS5N15M3 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STS5N15M3 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 12 page Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s) Electrical characteristics STS5N15M3 4/12 2 Electrical characteristics (TJ = 25 °C unless otherwise specified) Table 5. On/off states Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage ID = 1 mA, VGS= 0 150 V IDSS Zero gate voltage drain current (VGS = 0) VDS = 150 V, VDS = 150 V, @125 °C 1 10 µA µA IGSS Gate body leakage current (VDS = 0) VGS = ±20 V ±100 nA VGS(th) Gate threshold voltage VDS= VGS, ID = 250 µA 24 V RDS(on) Static drain-source on resistance VGS= 10 V, ID= 2.5 A 0.045 0.057 Ω Table 6. Dynamic Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit Ciss Coss Crss Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance VDS =25 V, f = 1 MHz, VGS = 0 1300 140 20.5 pF pF pF Qg Qgs Qgd Total gate charge Gate-source charge Gate-drain charge VDD = 75 V, ID = 5 A VGS =10 V Figure 14 on page 8 29 3.6 14.6 nC nC nC Rg Gate input resistance f=1 MHz Gate DC Bias=0 Test signal level=20 mV open drain 3.7 Ω |
Số phần tương tự - STS5N15M3 |
|
Mô tả tương tự - STS5N15M3 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |