công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB80NF03L-04T4 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STB80NF03L-04T4 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 13 page STB80NF03L-04T4 Electrical characteristics Doc ID 8479 Rev 4 5/13 Table 6. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off-delay time Fall time VDD = 15 V, ID= 40 A, RG =4.7 Ω, VGS=4.5 V Figure 16 - 30 270 110 95 - ns ns ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD Source-drain current - 80 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) - 320 A VSD (2) 2. Pulse duration=300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 80 A, VGS = 0 - 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD=80 A, VDD = 20 V di/dt = 100 A/µs Tj=150 °C - 75 0.15 4 ns µC A |
Số phần tương tự - STB80NF03L-04T4 |
|
Mô tả tương tự - STB80NF03L-04T4 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |