công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK7615-100A bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK7615-100A bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors |
5 / 7 page Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS ™ transistor BUK7615-100A Standard level FET Fig.13. Typical capacitances, C iss, Coss, Crss. C = f(V DS); conditions: VGS = 0 V; f = 1 MHz Fig.14. Typical turn-on gate-charge characteristics. V GS = f(QG); conditions: ID = 25 A; parameter VDS Fig.15. Typical reverse diode current. I F = f(VSDS); conditions: VGS = 0 V; parameter Tj Fig.16. Normalised avalanche energy rating. W DSS% = f(Tmb); conditions: ID = 75 A Fig.17. Avalanche energy test circuit. Fig.18. Switching test circuit. 0.01 0.1 1 10 100 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 VDS/V Ciss Coss Crss 20 40 60 80 100 120 140 160 180 Tmb / C 120 110 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 WDSS% 0 20 40 60 80 100 120 0 2 4 6 8 10 12 VGS/V QG/nC VDS = 14V 80V L T.U.T. VDD RGS R 01 VDS -ID/100 + - shunt VGS 0 W DSS = 0.5 ⋅ LID 2 ⋅ BV DSS/(BVDSS − VDD) 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 0 20 40 60 80 100 ID/A VSDS/V Tj/C = 175 25 RD T.U.T. VDD RG VDS + - VGS 0 January 1999 5 Rev 1.000 |
Số phần tương tự - BUK7615-100A |
|
Mô tả tương tự - BUK7615-100A |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |