công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

BUK9605-30A bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - NXP Semiconductors

tên linh kiện BUK9605-30A
Giải thích chi tiết về linh kiện  TrenchMOS transistor Logic level FET
Download  7 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  NXP [NXP Semiconductors]
Trang chủ  http://www.nxp.com
Logo NXP - NXP Semiconductors

BUK9605-30A bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - NXP Semiconductors

  BUK9605-30A Datasheet HTML 1Page - NXP Semiconductors BUK9605-30A Datasheet HTML 2Page - NXP Semiconductors BUK9605-30A Datasheet HTML 3Page - NXP Semiconductors BUK9605-30A Datasheet HTML 4Page - NXP Semiconductors BUK9605-30A Datasheet HTML 5Page - NXP Semiconductors BUK9605-30A Datasheet HTML 6Page - NXP Semiconductors BUK9605-30A Datasheet HTML 7Page - NXP Semiconductors  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 7 page
background image
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
™ transistor
BUK9605-30A
Logic level FET
STATIC CHARACTERISTICS
T
j= 25˚C
unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
V
GS = 0 V; ID = 0.25 mA;
30
-
-
V
voltage
T
j = -55˚C
27
-
-
V
V
GS(TO)
Gate threshold voltage
V
DS = VGS; ID = 1 mA
1
1.5
2.0
V
T
j = 175˚C
0.5
-
-
V
T
j = -55˚C
-
-
2.3
V
I
DSS
Zero gate voltage drain current
V
DS = 30 V; VGS = 0 V;
-
0.05
10
µA
T
j = 175˚C
-
-
500
µA
I
GSS
Gate source leakage current
V
GS = ±10 V; VDS = 0 V
-
2
100
nA
R
DS(ON)
Drain-source on-state
V
GS = 5 V; ID = 25 A
-
4.3
5
m
resistance
T
j = 175˚C
-
-
9.3
m
V
GS = 10 V; ID = 25 A
-
3.9
4.6
m
V
GS = 4.5 V; ID = 25 A
-
-
5.4
m
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
mb = 25˚C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
C
iss
Input capacitance
V
GS = 0 V; VDS = 25 V; f = 1 MHz
-
6500
8600
pF
C
oss
Output capacitance
-
1500
1800
pF
C
rss
Feedback capacitance
-
1000
1350
pF
t
d on
Turn-on delay time
V
DD = 30 V; Rload =1.2Ω;
-
45
65
ns
t
r
Turn-on rise time
V
GS = 5 V; RG = 10 Ω
-
220
330
ns
t
d off
Turn-off delay time
-
435
600
ns
t
f
Turn-off fall time
-
320
450
ns
L
d
Internal drain inductance
Measured from upper edge of drain
-
2.5
-
nH
tab to centre of die
L
s
Internal source inductance
Measured from source lead
-
7.5
-
nH
soldering point to source bond pad
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j = 25˚C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
DR
Continuous reverse drain
-
-
75
A
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
-
-
240
A
V
SD
Diode forward voltage
I
F = 25 A; VGS = 0 V
-
0.85
1.2
V
I
F = 75 A; VGS = 0 V
-
1.1
-
V
t
rr
Reverse recovery time
I
F = 75 A; -dIF/dt = 100 A/µs;
-
400
-
ns
Q
rr
Reverse recovery charge
V
GS = -10 V; VR = 30 V
-
1.0
-
µC
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
W
DSS
Drain-source non-repetitive
I
D = 75 A; VDD ≤ 25 V;
-
-
500
mJ
unclamped inductive turn-off
V
GS = 5 V; RGS = 50 Ω; Tmb = 25 ˚C
energy
August 1999
2
Rev 1.100


Số phần tương tự - BUK9605-30A

nhà sản xuấttên linh kiệnbảng dữ liệuGiải thích chi tiết về linh kiện
logo
Inchange Semiconductor ...
BUK9605-30A ISC-BUK9605-30A Datasheet
333Kb / 2P
   isc N-Channel MOSFET Transistor
logo
Nexperia B.V. All right...
BUK9605-30A NEXPERIA-BUK9605-30A Datasheet
1Mb / 13P
   N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 03 - 19 April 2011
logo
NXP Semiconductors
BUK9605-30A PHILIPS-BUK9605-30A_15 Datasheet
1,004Kb / 13P
   N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 03-19 April 2011
More results

Mô tả tương tự - BUK9605-30A

nhà sản xuấttên linh kiệnbảng dữ liệuGiải thích chi tiết về linh kiện
logo
NXP Semiconductors
BUK9514-55 PHILIPS-BUK9514-55 Datasheet
53Kb / 8P
   TrenchMOS transistor Logic level FET
April 1998 Rev 1.000
BUK9524-55 PHILIPS-BUK9524-55 Datasheet
63Kb / 8P
   TrenchMOS transistor Logic level FET
April 1998 Rev 1.100
BUK9528-55 PHILIPS-BUK9528-55 Datasheet
64Kb / 8P
   TrenchMOS transistor Logic level FET
April 1998 Rev 1.100
PHB11N06LT PHILIPS-PHB11N06LT Datasheet
76Kb / 9P
   TrenchMOS transistor Logic level FET
September 1998 Rev 1.000
PHN1011 PHILIPS-PHN1011 Datasheet
115Kb / 7P
   TrenchMOS transistor Logic level FET
June 1999 Rev 1.100
BUK9520-55 PHILIPS-BUK9520-55 Datasheet
63Kb / 8P
   TrenchMOS transistor Logic level FET
April 1998 Rev 1.100
PHP37N06LT PHILIPS-PHP37N06LT Datasheet
79Kb / 10P
   TrenchMOS transistor Logic level FET
September 1998 Rev 1.400
BUK9606-30 PHILIPS-BUK9606-30 Datasheet
51Kb / 8P
   TrenchMOS transistor Logic level FET
December 1997 Rev 1.100
BUK9608-55 PHILIPS-BUK9608-55 Datasheet
68Kb / 8P
   TrenchMOS transistor Logic level FET
April 1998 Rev 1.000
BUK9610-30 PHILIPS-BUK9610-30 Datasheet
52Kb / 8P
   TrenchMOS transistor Logic level FET
December 1997 Rev 1.100
BUK9614-55 PHILIPS-BUK9614-55 Datasheet
56Kb / 8P
   TrenchMOS transistor Logic level FET
April 1998 Rev 1.000
More results


Html Pages

1 2 3 4 5 6 7


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL




Chính sách bảo mật
ALLDATASHEET.VN
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com