công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK7613-75B bảng dữ liệu(PDF) 8 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK7613-75B bảng dữ liệu(HTML) 8 Page - NXP Semiconductors |
8 / 15 page Philips Semiconductors BUK75/7613-75B TrenchMOS™ standard level FET Product data Rev. 01 — 14 April 2003 8 of 15 9397 750 11237 © Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved. ID = 1 mA; VDS =VGS Tj =25 °C; VDS =VGS Fig 9. Gate-source threshold voltage as a function of junction temperature. Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of gate-source voltage. Tj =25 °C; VDS =25V VGS = 0 V; f = 1 MHz Fig 11. Forward transconductance as a function of drain current; typical values. Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values. 03aa32 0 1 2 3 4 5 -60 0 60 120 180 Tj (°C) VGS(th) (V) max min typ 03aa35 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 02 46 VGS (V) ID (A) max typ min 03nm75 0 10 20 30 40 0 25 50 75 100 ID (A) gfs (S) 03nm80 0 1000 2000 3000 10-2 10-1 1 10 102 VDS (V) C (pF) Ciss Coss Crss |
Số phần tương tự - BUK7613-75B |
|
Mô tả tương tự - BUK7613-75B |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |