công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STW45NM50FD bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STW45NM50FD bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 12 page STW45NM50FD Electrical characteristics Doc ID 7955 Rev 10 5/12 Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr Turn-on delay time Rise time VDD=250 V, ID= 22.5 A, RG=4.7 Ω, VGS=10 V Figure 15 - 26.5 107.5 - ns ns tr(Voff) tf tc Off-voltage rise time Fall time Cross-over time VDD=400 V, ID= 45 A, RG=4.7 Ω, VGS=10 V Figure 15 - 21.6 87.7 110.9 - ns ns ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD Source-drain current - 45 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) - 180 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 45 A, VGS = 0 - 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 45 A, VDD = 100 V di/dt = 100 A/µs, (see Figure 18) - 200 1600 16 ns nC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD= 45 A, Tj = 150 °C di/dt = 100 A/µs, VDD=100 V, (see Figure 18) - 324 4017 24.8 ns nC A |
Số phần tương tự - STW45NM50FD |
|
Mô tả tương tự - STW45NM50FD |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |