công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK7610-100B bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK7610-100B bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors |
4 / 14 page BUK7610-100B All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 03 — 12 April 2010 4 of 14 NXP Semiconductors BUK7610-100B N-channel TrenchMOS standard level FET Fig 1. Normalized continuous drain current as a function of mounting base temperature Fig 2. Normalized total power dissipation as a function of mounting base temperature Fig 3. Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage 03ng70 0 40 80 120 0 50 100 150 200 Tmb (°C) ID (A) Capped at 75 A due to package Tmb (°C) 0 200 150 50 100 03na19 40 80 120 Pder (%) 0 02ng68 VDS (V) 1 103 102 10 102 10 103 ID (A) 1 Limit RDSon = VDS/ID DC 10 ms 1 ms tp = 10 μs 100 μs 100 ms Capped at 75 A due to package |
Số phần tương tự - BUK7610-100B |
|
Mô tả tương tự - BUK7610-100B |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |