công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK7L11-34ARC bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK7L11-34ARC bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - NXP Semiconductors |
6 / 15 page BUK7L11-34ARC_5 © NXP B.V. 2009. All rights reserved. Product data sheet Rev. 05 — 17 February 2009 6 of 15 NXP Semiconductors BUK7L11-34ARC N-channel TrenchPLUS standard level FET 6. Characteristics Table 6. Characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Static characteristics V(BR)DG drain-gate (Zener diode) breakdown voltage ID =1mA; VGS =0V; Tj =25°C 34 - 45 V ID =1mA; VGS =0V; Tj =-55 °C 34 - 45 V VDS(CL) drain-source clamping voltage IGS(CL) =-2mA; ID =1A; Tj =25°C; see Figure 12; see Figure 18 -41 - V VGS(th) gate-source threshold voltage ID =1mA; VDS = VGS; Tj =25°C; see Figure 13; see Figure 7 2.2 3 3.8 V ID =1mA; VDS = VGS; Tj = 150 °C; see Figure 13; see Figure 7 1.5 - - V ID =1mA; VDS = VGS; Tj = 175 °C; see Figure 13; see Figure 7 1.2 - - V ID =1mA; VDS = VGS; Tj =-55 °C; see Figure 13; see Figure 7 --4.2 V IDSS drain leakage current VDS =16V; VGS =0V; Tj =25°C - 0.1 2 µA VDS =16V; VGS =0V; Tj = 150 °C - 3 50 µA VDS =16V; VGS =0V; Tj = 175 °C - 18 250 µA V(BR)GSS gate-source breakdown voltage IG =1mA; VDS =0V; Tj >-55 °C; Tj < 175 °C; see Figure 18; see Figure 19 20 22 - V IG =-1mA; VDS =0V; Tj >-55 °C; Tj < 175 °C; see Figure 18; see Figure 19 20 22 - V IGSS gate leakage current VDS =0V; VGS =10V; Tj =25°C - 5 1000 nA VDS =0V; VGS =-10 V; Tj =25°C - 5 1000 nA VDS =0V; VGS =10V; Tj = 175 °C --50 µA VDS =0V; VGS =-10 V; Tj = 175 °C --50 µA VDS =0V; VGS =16V; Tj = 175 °C - - 150 µA RDSon drain-source on-state resistance VGS =10V; ID =30A; Tj =25°C; see Figure 14; see Figure 6 -8 11 m Ω VGS =10V; ID =30A; Tj = 175 °C; see Figure 14; see Figure 6 --20.9 m Ω VGS =16V; ID =30A; Tj =25°C - 7 9.7 m Ω RG internal gate resistance (AC) f=1MHz; Tj =25 °C - 11 - Ω Dynamic characteristics QG(tot) total gate charge ID =25A; VDS =27V; VGS =10V; Tj =25°C; see Figure 16 -53 - nC QGS gate-source charge - 11 - nC QGD gate-drain charge - 20 - nC Ciss input capacitance VGS =0V; VDS =25V; f=1MHz; Tj =25°C; see Figure 17 - 1880 2506 pF Coss output capacitance - 640 768 pF Crss reverse transfer capacitance - 400 548 pF |
Số phần tương tự - BUK7L11-34ARC |
|
Mô tả tương tự - BUK7L11-34ARC |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |