KDV348E datasheet(1/2 Pages) KEC

tên linh kiện	KDV348E

Giải thích chi tiết về linh kiện	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

Download	2 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	KEC [KEC(Korea Electronics)]

Trang chủ	http://www.keccorp.com

Logo

1 / 2 page

2009. 8. 31

1/2

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

KDV348E

Revision No : 0

VCO.

FEATURES

・Low Series Resistance : r

S=0.50Ω(Max.)

・Small Package.

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

ESC

DIM

MILLIMETERS

A

B

C

D

E

1.60 0.10

1.20 0.10

0.80 0.10

0.30 0.05

0.60 0.10

D

C

1

2

E

1. ANODE

2. CATHODE

F

0.13 0.05

F

+_

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

Marking

VT

Type Name

Lot No.

CHARACTERISTIC

SYMBOL

RATING

UNIT

Reverse Voltage

VR

10

V

Junction Temperature

Tj

150

℃

Storage Temperature Range

Tstg

-55～150

℃

Forward Current

IF

20

mA

CHARACTERISTIC

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

Reverse Voltage

VR

IR=1μA

10

-

V

Reverse Current

IR

VR=6V

-

10

nA

VR=6V, TA=85℃

-

100

Capacitance

C1V

VR=1V, f=1MHz

38.5

41.5

44.5

pF

C2V

VR=2V, f=1MHz

22.5

-

27.5

C3V

VR=3V, f=1MHz

14

15.8

17.6

C4V

VR=4V, f=1MHz

-

12.1

-

Capacitance Ratio

C1V/C3V

f=1MHz

2.15

2.53

-

C1V/C4V

f=1MHz

-

3.3

-

Series Resistance

rS

VR=1V, f=470MHz

-

0.25

0.5

Ω

Số phần tương tự - KDV348E

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
KEC(Korea Electronics)	KDV348E	46Kb / 2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	KDV348E_0911	46Kb / 2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	KDV348E	366Kb / 2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

More results

Mô tả tương tự - KDV348E

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
KEC(Korea Electronics)	KDS2236M	199Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	KDV1470	36Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	KDV1471	71Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	KDV1430	207Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	KDV350E	65Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO)
	KDV350	67Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO)
Toshiba Semiconductor	1SV100	116Kb / 3P	SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
	1SV153	35Kb / 1P	SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
	1S2236	55Kb / 2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
	1SV161	38Kb / 1P	Silicon Epitaxial Planar Type Variable Capacitance Diode

More results

KDV348E bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - KEC(Korea Electronics)

KDV348E bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - KEC(Korea Electronics)

Số phần tương tự - KDV348E

Mô tả tương tự - KDV348E

Html Pages

1 2

bảng dữ liệu tải về

Link URL