công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SB1100-1.3 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Gunter Seniconductor GmbH. |
|
SB1100-1.3 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Gunter Seniconductor GmbH. |
|
1 / 1 page SB 1XX - 1.3 Chips for Schottky Diodes Chip Specification General Description: Schottky Diode chips with Mo-barrier for switch mode power rectifiers with the following features: * Guard-ring for stress protection * Extremely low forward voltage * 125 ℃ ℃ ℃ ℃ operation junction temperature * reverse avalanche behavior Mechanical Data: SB 1XX passivated Silicon Chip Demension(mm) 1,3x1,3 Thickness: 350 +- 20 µm Metallization: Top ( Anode ) : Al Ag Bottom ( Cathode) : TiNiAg Forward Current(A) 1 A Reverse Voltage (V):23, 43, 100 V Type Chip VR(V) VF(V)@25 C IRM@VRMM size(mm) at If=1A at 25 C SB120 1,3x1,3 23 V 380mV 0,5mA SB140 1,3x1,3 43 V 400mV 0,5mA SB1100 1,3x1,3 100 V 650mV 0,5mA Note: Other voltages, Vf & Top Metal AL are available |
Số phần tương tự - SB1100-1.3 |
|
Mô tả tương tự - SB1100-1.3 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |