công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MJ10012 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
|
MJ10012 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 3 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors MJ10012 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.2A ;IB=0 400 V VCE(sat)-1 Collector-emitter saturation voltage IC=3A; IB=0.6A 1.5 V VCE(sat)-2 Collector-emitter saturation voltage IC=6A; IB=0.6A 2.0 V VCE(sat)-3 Collector-emitter saturation voltage IC=10A; IB=2A 2.5 V VBE(sat)-1 Base-emitter saturation voltage IC=6A; IB=0.6A 2.5 V VBE(sat)-2 Base-emitter saturation voltage IC=10A; IB=2A 3.0 V VBE Base-emitter on voltage IC=10A ; VCE=6V 2.8 V ICBO Collector cut-off current VCB=600V; IE=0 1 mA ICEO Collector cut-off current VCE=400V; IB=0 1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=6V; IC=0 40 mA hFE-1 DC current gain IC=3A ; VCE=6V 300 hFE-2 DC current gain IC=6A ; VCE=6V 100 2000 hFE-3 DC current gain IC=10A ; VCE=6V 20 VF Diode forward voltage IF=10A 3.5 V ts Storage time 15 µs tf Fall time IC=6.0A ; VCC=12V IB1=IB2=0.3A 15 µs |
Số phần tương tự - MJ10012 |
|
Mô tả tương tự - MJ10012 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |