công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ST419S bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
ST419S bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
1 / 8 page P-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor Mar,29, 2007 S amHop Microelectronics C orp. P R ODUC T S UMMAR Y V DS S ID R DS (ON) ( m ) Max -40A 9 @ V GS = -10V 12 @ V GS = -4.5V -40V S T U/D419S S TU S E R IE S TO-252AA(D-PAK) S TD S E R IE S TO-251(l-PAK) G G G G SS SS D D D D Parameter S ymbol Unit Drain-S ource Voltage VDS V Gate-S ource Voltage VGS V Drain Current-Continuous @ Ta -Pulsed ID 50 A A A W IDM Drain-S ource Diode Forward Current IS Maximum Power Dissipation PD Operating Junction and S torage Temperature R ange TJ, TS TG -55 to 175 C a a a b -40 -10 20 -40 -100 25 C 70 C Ta= 25 C Ta=70 C 35 -32 A Limit THE R MAL CHAR ACTE R IS TICS Thermal R esistance, Junction-to-Case Thermal R esistance, Junction-to-Ambient R JC 3 50 R JA /W C /W C AB S OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unles s otherwis e noted) S urface Mount Package. F E AT UR E S S uper high dense cell design for low R DS(ON). R ugged and reliable. E S D Procteced W S G D 1 |
Số phần tương tự - ST419S |
|
Mô tả tương tự - ST419S |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |