công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BAT85S bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix |
|
BAT85S bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix |
2 / 4 page BAT85S Vishay Telefunken Rev. 3, 01-Apr-99 2 (4) www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600 Document Number 85513 Electrical Characteristics Tj = 25_C Parameter Test Conditions Type Symbol Min Typ Max Unit Forward voltage IF=0.1mA VF 240 mV g IF=1mA VF 320 mV IF=10mA VF 400 mV IF=30mA VF 500 mV IF=100mA VF 800 mV Reverse current VR=25V IR 2 mA Diode capacitance VR=1V, f=1MHz CD 10 pF Characteristics (Tj = 25_C unless otherwise specified) 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 25 50 75 100 125 150 Tj – Junction Temperature ( °C ) 15822 VR = 30 V 540K/W PR–Limit @100%VR PR–Limit @80%VR RthJA= Figure 1. Max. Reverse Power Dissipation vs. Junction Temperature 1 10 100 1000 25 50 75 100 125 150 1 10 100 1000 25 50 75 100 125 150 Tj – Junction Temperature ( °C ) 15823 VR = VRRM Figure 2. Reverse Current vs. Junction Temperature 0 0.5 1.0 1.5 VF – Forward Voltage ( V ) 15824 Tj =25°C Tj = 150°C 0.1 1 10 100 1000 Figure 3. Forward Current vs. Forward Voltage 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0.1 1.0 10.0 100.0 VR – Reverse Voltage ( V ) 15825 f=1MHz Figure 4. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage |
Số phần tương tự - BAT85S |
|
Mô tả tương tự - BAT85S |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |