công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB80NF55-08 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STB80NF55-08 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 15 page STP80NF55-08 - STB80NF55-08 - STW80NF55-08 Electrical characteristics 5/15 Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off-delay time Fall time VDD = 27 V, ID = 40 A RG =4.7 Ω VGS = 10 V (see Figure 13) 20 110 75 35 ns ns ns ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD Source-drain current 80 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) 320 A VSD Forward on voltage ISD = 80 A, VGS = 0 1.5 V trr (2) Qrr IRRM 2. Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5% Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 80 A,VDD = 25 V di/dt=100 A/µs, Tj =150 °C (see Figure 18) 80 230 5.7 ns nC A |
Số phần tương tự - STB80NF55-08 |
|
Mô tả tương tự - STB80NF55-08 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |