công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK7608-40B bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK7608-40B bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 12 page BUK7608-40B_4 © NXP B.V. 2008. All rights reserved. Product data sheet Rev. 04 — 24 September 2008 3 of 12 NXP Semiconductors BUK7608-40B N-channel TrenchMOS standard level FET [1] Current is limited by power dissipation chip rating. [2] Continuous current is limited by package. Avalanche ruggedness EDS(AL)S non-repetitive drain-source avalanche energy ID =75A; Vsup ≤ 40 V; RGS =50 Ω; VGS =10V; Tj(init) = 25 °C; unclamped -241 mJ Table 4. Limiting values …continued In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol Parameter Conditions Min Max Unit Fig 1. Continuous drain current as a function of mounting base temperature Fig 2. Normalized total power dissipation as a function of solder point temperature Fig 3. Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage Tmb (°C) 0 200 150 50 100 003aac081 40 80 120 ID (A) 0 (1) Tmb (°C) 0 200 150 50 100 003aac070 40 80 120 Pder (%) 0 003aac079 VDS (V) 10−1 102 10 1 102 10 103 ID (A) 1 (1) Limit RDSon = VDS / ID tp = 10 μs 1 ms 100 μs 10 ms 100 ms DC |
Số phần tương tự - BUK7608-40B |
|
Mô tả tương tự - BUK7608-40B |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |