công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SI1905BDH-T1-E3 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI1905BDH-T1-E3 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 7 page www.vishay.com 4 Document Number: 74638 S-72340-Rev. B, 05-Nov-07 Vishay Siliconix Si1905BDH New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 10 VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 0.1 1 0.01 TJ = 150 °C 0.001 TJ = 25 °C 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 TJ - Temperature (°C) ID = 250 µA On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0 0.5 1.0 1.5 2.0 012345 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TA = 125 °C ID = 0.57 A TA = 25 °C 0 3 5 1 2 Time (s) 4 1 100 600 10 10-1 10-2 10-3 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 1 0.1 1 10 0.01 10 0.1 TA = 25 °C Single Pulse 1 s DC VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS minimum VGS at which rDS(on) is specified 0.001 100 ms 10 s Limited by rDS(on)* |
Số phần tương tự - SI1905BDH-T1-E3 |
|
Mô tả tương tự - SI1905BDH-T1-E3 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |