công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SI1563EDH-T1 bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - Vishay Siliconix |
|
SI1563EDH-T1 bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - Vishay Siliconix |
7 / 9 page Document Number: 71416 S-80257-Rev. C, 04-Feb-08 www.vishay.com 7 Vishay Siliconix Si1563EDH New Product P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Gate Charge Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0 1 2 3 4 5 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 VDS = 10 V ID = 1 A Qg - Total Gate Charge (nC) 1.0 1.2 0.1 1 2 0 0.2 0.6 0.8 VSD -) V ( e g a t l o V n i a r D - o t - e c r u o S TJ = 25 °C TJ = 150 °C 0.4 - 0.15 - 0.10 - 0.05 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 100 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Junction Temperature On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 VGS = 4.5 V ID = 0.88 A TJ - Junction Temperature (°C) 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 0 1 234 5 ID = 0.88 A GS - Gate-to-Source Voltage (V) V 0 1 5 Time (s) 3 4 0 0 6 110 0.1 0.01 2 100 |
Số phần tương tự - SI1563EDH-T1 |
|
Mô tả tương tự - SI1563EDH-T1 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |