công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

SI1499DH bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Vishay Siliconix

tên linh kiện SI1499DH
Giải thích chi tiết về linh kiện  P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET
Download  6 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  VISHAY [Vishay Siliconix]
Trang chủ  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix

SI1499DH bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Vishay Siliconix

  SI1499DH Datasheet HTML 1Page - Vishay Siliconix SI1499DH Datasheet HTML 2Page - Vishay Siliconix SI1499DH Datasheet HTML 3Page - Vishay Siliconix SI1499DH Datasheet HTML 4Page - Vishay Siliconix SI1499DH Datasheet HTML 5Page - Vishay Siliconix SI1499DH Datasheet HTML 6Page - Vishay Siliconix  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 1 / 6 page
background image
Vishay Siliconix
Si1499DH
New Product
Document Number: 73338
S-80579-Rev. E, 17-Mar-08
www.vishay.com
1
P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET
FEATURES
TrenchFET® Power MOSFET
Ultra-Low On-Resistance
APPLICATIONS
Load Switch for Portable Devices
- Guaranteed Operation at VGS = 1.2 V
Critical for Optimized Design and Longer
Battery Life
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
RDS(on) (Ω)
ID (A)
c
Qg (Typ)
- 8
0.078 at VGS = - 4.5 V
- 1.6
10.5 nC
0.095 at VGS = - 2.5 V
- 1.6
0.115 at VGS = - 1.8 V
- 1.6
0.153 at VGS = - 1.5 V
- 1.6
0.424 at VGS = - 1.2 V
- 1.6b
Ordering Information: Si1499DH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
6
4
1
2
3
5
Top View
D
D
G
D
D
S
Marking Code
BI
XX
Lot Traceability
and Date Code
Part #
Code
S
G
D
P-Channel MOSFET
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t = 5 s.
c. Package limited.
d. Maximum under Steady State conditions is 125 °C/W.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
- 8
V
Gate-Source Voltage
VGS
± 5
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)
a, b
TC = 25 °C
ID
-1.6c
A
TC = 70 °C
- 1.6c
TA = 25 °C
- 1.6a, b, c
TA = 70 °C
- 1.6a, b, c
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)
IDM
- 6.5c
Continuous Source-Drain Diode Currenta, b
TC = 25 °C
IS
- 1.6c
TA = 25 °C
- 1.3a, b
Maximum Power Dissipationa, b
TC = 25 °C
PD
2.78
W
TC = 70 °C
1.78
TA = 25 °C
2.5a, b
TA = 70 °C
1a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
- 55 to 150
°C
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c, d
260
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambienta, d
t
≤ 5 s
RthJA
60
80
°C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
RthJF
34
45
RoHS
COMPLIANT


Số phần tương tự - SI1499DH

nhà sản xuấttên linh kiệnbảng dữ liệuGiải thích chi tiết về linh kiện
logo
Vishay Siliconix
SI1499DH VISHAY-SI1499DH Datasheet
106Kb / 6P
   P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET
Rev. C, 09-Oct-06
SI1499DH VISHAY-SI1499DH Datasheet
252Kb / 11P
   P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET
01-Jan-2022
logo
VBsemi Electronics Co.,...
SI1499DH-T1-GE3 VBSEMI-SI1499DH-T1-GE3 Datasheet
1Mb / 9P
   P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
logo
Vishay Siliconix
SI1499DH VISHAY-SI1499DH_15 Datasheet
245Kb / 12P
   P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET
Rev. F, 05-Apr-10
SI1499DH VISHAY-SI1499DH_V01 Datasheet
252Kb / 11P
   P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET
01-Jan-2022
More results

Mô tả tương tự - SI1499DH

nhà sản xuấttên linh kiệnbảng dữ liệuGiải thích chi tiết về linh kiện
logo
Vishay Siliconix
SIB417EDK VISHAY-SIB417EDK Datasheet
218Kb / 9P
   P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET
Rev. B, 10-Aug-09
SI1499DH VISHAY-SI1499DH Datasheet
106Kb / 6P
   P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET
Rev. C, 09-Oct-06
SI8429DB-T1-E1 VISHAY-SI8429DB-T1-E1 Datasheet
215Kb / 11P
   P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET
Rev.D, 19-Aug-13
SI1499DH VISHAY-SI1499DH_15 Datasheet
245Kb / 12P
   P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET
Rev. F, 05-Apr-10
SIB417DK VISHAY-SIB417DK Datasheet
146Kb / 7P
   P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET
Rev. D, 26-May-08
SIB417AEDK VISHAY-SIB417AEDK Datasheet
238Kb / 9P
   P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET
Rev. A, 01-Oct-12
SI1499DH VISHAY-SI1499DH_V01 Datasheet
252Kb / 11P
   P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET
01-Jan-2022
SI8429DB VISHAY-SI8429DB_V01 Datasheet
240Kb / 10P
   P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET
01-Jan-2022
SIB417EDK VISHAY-SIB417EDK_V01 Datasheet
217Kb / 9P
   P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET
01-Jan-2022
SIB414DK VISHAY-SIB414DK Datasheet
154Kb / 7P
   N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET
Rev. C, 10-Mar-08
More results


Html Pages

1 2 3 4 5 6


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL




Chính sách bảo mật
ALLDATASHEET.VN
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com