công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SI1467DH-T1-E3 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI1467DH-T1-E3 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 7 page www.vishay.com 4 Document Number: 68663 S-81216-Rev. A, 02-Jun-08 Vishay Siliconix Si1467DH New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 10 VSD -Source-to-Drain Voltage (V) 0.1 1 0.01 TJ =150 °C 0.001 TJ = 25 °C - 0.2 - 0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = - 250 µA TJ - Temperature (°C) ID =- 5 mA On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0 1 234 5 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TJ =25 °C TJ = 125 °C ID =2A 0 6 12 18 24 30 0 1 1 1 0 0 . 00.01 Time (s) 0.1 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified 10 0.1 1 0.01 0.01 0.1 1 10 100 BVDSS Limited TA = 25 °C Single Pulse 1ms 10 ms 100 ms 1s 10 s DC Limited byRDS(on)* |
Số phần tương tự - SI1467DH-T1-E3 |
|
Mô tả tương tự - SI1467DH-T1-E3 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |