công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SI1417EDH bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI1417EDH bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 6 page Si1417EDH Vishay Siliconix New Product www.vishay.com 4 Document Number: 71412 S-03187—Rev. A, 05-Mar-01 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) –0.2 –0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 mA 1.2 1.5 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0 123 456 0.1 1 10 ID = –3.3 A 0 0.3 0.6 0.9 TJ = 150_C Threshold Voltage TJ – Temperature (_C) Source-Drain Diode Forward Voltage On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage VSD – Source-to-Drain Voltage (V) VGS – Gate-to-Source Voltage (V) 0 7 35 Single Pulse Power, Junction-to-Ambient Time (sec) 21 28 10–3 10–2 1 10 600 10–1 10–4 100 2 1 0.1 0.01 0.2 0.1 0.05 0.02 Single Pulse Duty Cycle = 0.5 Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient Square Wave Pulse Duration (sec) 1. Duty Cycle, D = 2. Per Unit Base = RthJA = 100_C/W 3. TJM – TA = PDMZthJA(t) t1 t2 t1 t2 Notes: 4. Surface Mounted PDM 0.1 10 1 0.01 0.001 TJ = 25_C 14 |
Số phần tương tự - SI1417EDH |
|
Mô tả tương tự - SI1417EDH |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |