công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SI1403BDL-T1-E3 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
|
SI1403BDL-T1-E3 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 6 page Document Number: 73253 S-71951-Rev. B, 10-Sep-07 www.vishay.com 3 Vishay Siliconix Si1403BDL New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted On-Resistance vs. Drain Current Gate Charge Source-Drain Diode Forward Voltage 0.00 0.08 0.16 0.24 0.32 0.40 01234 ID - Drain Current (A) VGS = 3.6 V VGS = 2.5 V VGS = 4.5 V 0 1 2 3 4 5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 VDS = 10 V ID = 1.5 A Qg - Total Gate Charge (nC) 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 TJ = 150 °C TJ = 25 °C 10 1 0.1 VSD - Source-to-Drain Voltage (V) Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage 0 100 200 300 400 500 04 8 12 16 20 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) Crss Coss Ciss 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 VGS = 4.5 V ID = 1.5 A TJ - Junction Temperature (°C) 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0 1234 5 ID = 1.5 A VGS - Gate-to-Source Voltage (V) ID = 0.8 A |
Số phần tương tự - SI1403BDL-T1-E3 |
|
Mô tả tương tự - SI1403BDL-T1-E3 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |