công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SI1069X-T1-GE3 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI1069X-T1-GE3 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 6 page www.vishay.com 4 Document Number: 70442 S-80641-Rev. B, 24-Mar-08 Vishay Siliconix Si1069X New Product TYPICAL CHARACTERISTICS TA = 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 TJ = 150 °C 0.01 0.1 1 TJ = 25 °C 10 TJ - Temperature (°C) 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 012345 ID = 0.94 A TA = 125 °C TA = 25 °C Time (s) 0.01 0.1 1 10 100 1000 0 1 2 3 4 5 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 1 0.1 1 10 100 0.01 10 0.1 TA = 25 °C Single Pulse 10 ms 100 ms DC 1 s 10 s VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS minimum VGS at which RDS(on) is specified Limited by RDS(on)* BVDSS Limited 0.001 |
Số phần tương tự - SI1069X-T1-GE3 |
|
Mô tả tương tự - SI1069X-T1-GE3 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |