công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STY60NA20 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STY60NA20 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 5 page ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) SWITCHING ON Symb ol Parameter Test Cond ition s Mi n. Typ . Max. Un it td(on) tr Turn-on T ime Rise Time VDD =100 V ID =30 A RG =4.7 Ω VGS =10 V 40 50 55 70 ns ns Qg Qgs Qgd Total G ate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain Charge VDD =160 V ID =60 A VGS = 10 V 285 40 150 370 nC nC nC SWITCHING OFF Symb ol Parameter Test Cond ition s Mi n. Typ . Max. Un it tr(Voff) tf tc Of f-voltage Rise Time Fall Time Cross-over T ime VDD =160 V ID =60 A RG =4.7 Ω VGS =10 V 70 40 110 100 55 150 ns ns ns SOURCE DRAIN DIODE Symb ol Parameter Test Cond ition s Mi n. Typ . Max. Un it ISD ISDM ( •) Source-drain Current Source-drain Current (pulsed) 60 240 A A VSD ( ∗) Forward O n Volt age ISD =60 A VGS =0 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current ISD = 60 A di/dt = 100 A/ µs VDD =50 V Tj = 150 oC 480 7.5 30 ns µC A ( ∗) Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % ( •) Pulse width limited by safe operating area STY60NA20 3/4 |
Số phần tương tự - STY60NA20 |
|
Mô tả tương tự - STY60NA20 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |