công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STH8NA80 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STH8NA80 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 6 page ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) SWITCHING ON Symbo l Parameter Test Con ditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr Turn-on Time Rise Time VDD =400 V ID =4 A RG =4.7 Ω VGS =10 V 20 28 28 38 ns ns (di/dt)on Turn-on Current Slope VDD =640 V I D =8 A RG =47 Ω VGS =10 V 170 A/ µs Qg Q gs Qgd Tot al G ate Charge Gat e-Source Charge Gat e-Drain Charge VDD = 400 V ID =8 A VGS =10 V 75 10 35 100 nC nC nC SWITCHING OFF Symbo l Parameter Test Con ditions Min. Typ. Max. Unit tr(Voff) tf tc Off -volt age Rise T ime Fall T ime Cross-over Time VDD =640 V ID =8 A RG =4.7 Ω VGS =10 V 18 20 25 25 28 35 ns ns ns SOURCE DRAIN DIODE Symbo l Parameter Test Con ditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM ( •) Source-drain Current Source-drain Current (pulsed) 7. 2 28. 8 A A VSD ( ∗) Forward On Voltage ISD =7.2 A VGS =0 1. 6 V trr Qrr IRRM Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current ISD =7.5 A di/dt = 100 A/ µs VDD = 100 V Tj =150 oC 850 17 40 ns µC A ( ∗) Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % ( •) Pulse width limited by safe operating area STW8NA80 STH8NA80FI 3/6 |
Số phần tương tự - STH8NA80 |
|
Mô tả tương tự - STH8NA80 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |